型号 NESG3031M05-T1-A
厂商 CEL
描述 TRANS NPN 5.8GHZ M05
NESG3031M05-T1-A PDF
代理商 NESG3031M05-T1-A
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 4.3V
噪声系数(dB典型值@频率) 0.6dB ~ 1.5dB @ 2.4GHz ~ 5.8GHz
增益 7.5dB ~ 16dB
功率 - 最大 150mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 220 @ 6mA,2V
电流 - 集电极 (Ic)(最大) 35mA
安装类型 表面贴装
封装/外壳 M05
供应商设备封装 SOT-343
包装 带卷 (TR)
同类型PDF
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NESG7030M04-A CEL DISCRETE RF DIODE
NET+40-QILRO-4 Digi International IC MPU 32B 33MHZ LINUX 208PQFP
NET+40-QINRO-4 Digi International IC MPU 32B 33MHZ LINUX 208PQFP
NET+40-QIPRO-4 Digi International IC MPU 32B 33MHZ LINUX 208PQFP
NET+40-QITRO-4 Digi International IC MPU 32B 33MHZ LINUX 208PQFP
NET+40-QIVRO-4 Digi International IC MPU 32B 33MHZ LINUX 208PQFP
NET+50-BIN Digi International IC ARM7 MPU 32BIT 208BGA
NET+50-BINP Digi International IC ARM7 MPU 32BIT 208BGA
NET+50-BIT Digi International IC ARM7 MPU 32BIT 208BGA
NET+50-QIN-3 Digi International IC ARM7 MPU 32BIT 208PQFP
NET+50-QINP-3 Digi International IC ARM7 MPU 32BIT 208PQFP
NET+50-QIT-3 Digi International IC ARM7 MPU 32BIT 208PQFP